شراء Vishay Siliconix SIR788DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SIR788DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

رقم القطعة

SIR788DP-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

SkyFET®, TrenchFET®

حالة الجزء

Last Time Buy

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® SO-8

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® SO-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

5W (Ta), 48W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

Schottky Diode (Body)

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

3.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

75nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2873pF @ 15V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 43222 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8