ST (STMicroelectronics)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
L6386ED
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
رقم القطعة
L6386ED
فئة
Power Chip > Gate Driver IC
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
ST (STMicroelectronics)
التغليف
SOIC-14
التعبئة
Tube
عدد الطرود
50
وصف
High and low voltage drive, the maximum voltage is 600V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53963 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
الكلمات الرئيسية لL6386ED
L6386ED مكونات الكترونية
L6386ED مبيعات
L6386ED المورد
L6386ED موزع
L6386ED جدول البيانات
L6386ED الصور
L6386ED سعر
L6386ED يعرض
L6386ED أقل سعر
L6386ED يبحث
L6386ED شراء
L6386ED رقاقة