ST (STMicroelectronics)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
L6387ED
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
رقم القطعة
L6387ED
فئة
Power Chip > Gate Driver IC
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
ST (STMicroelectronics)
التغليف
SOIC-8
التعبئة
Tube
عدد الطرود
100
وصف
High and low voltage drive, the maximum voltage is 600V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 74974 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
الكلمات الرئيسية لL6387ED
L6387ED مكونات الكترونية
L6387ED مبيعات
L6387ED المورد
L6387ED موزع
L6387ED جدول البيانات
L6387ED الصور
L6387ED سعر
L6387ED يعرض
L6387ED أقل سعر
L6387ED يبحث
L6387ED شراء
L6387ED رقاقة